Понятие слова «ригель» не отличается однозначностью. С одной стороны оно трактуется как германское сообщество или фамилия, с другой имеет немало отличных значений.
Когда речь идет о домовой конструкции, здесь присутствует такой элемент, как перекладина.
Содержание
В качестве строящейся перекладины – деталь несущей конструкции. Элемент расположен всегда горизонтально, соединяя стойки в вертикальном положении.
Прочие конструктивные части, затем с ним стыкуются. Его значительная длина предполагает наличие стоек для опоры. они могут располагаться наклонно или вертикально.
В задачу ригеля входит соединение стоек механическим путем, чтобы образовалась одна система. Конструкция, таким образом, обретает устойчивость.
С его помощью также происходит перераспределение нагрузки, идущей от различных частей сооружения.
Она равномерно передается на стеллажи.
Железобетонная деталь производится согласно ГОСТ18990-2015.
Не всегда в продаже имеется продукция подобного типа. Отдельные производители пользуются технологией в соответствии со спецификацией.
Однако, по определению ГОСТ подобный строительный элемент должен выполнятся из бетона высокого качества.
Для строительной сферы ригельные размеры также устанавливаются по ГОСТу.
Это удобно по двум причинам. Во-первых, когда выбирается нагрузка во время разработки строительного проекта. Во-вторых, в самом строительном процессе, когда приобретение заготовок ведется по нормативам, заданным проектировщиком, то есть по ГОСТ.
К вариантам железобетонного образца предъявляются весомые требования.
Характеристики должны быть на высоком уровне, как эксплуатационном, так и техническом:
Предназначена для возведения перегородочных меж этажных конструкций.
На практике они собираются из:
Система возводится очень быстро, если проводить сравнение с прочими аналогами. Стоимость определяется конкретными характеристиками.
Другим элементом служит стропила. Его нередко сравнивают с первым типом:
Их обязательно предварительно рассчитывают, чтобы они могли выдерживать нагрузку длительное время.
У крестовин расположение исключительно горизонтальное. Они механическим способом соединяют стойки, не имея возможности выдержать изгибающие нагрузки. Их обычно не берут в расчет.
Укладке подлежат стандартные решения, где запас прочности уже определен.
У бруса сечение либо в форме квадрата, либо прямоугольное. Поперечины выпускаются сложной формы из металла или дерева. Перекладина в дополнение к этим же материалам, может быть также из железобетона.
Когда перед вами железобетонная часть расположена поперек, это перекладина.
При соединении каркасных стоек применяются балки поперк.
Для их производства применяется бетон с определенной тяжестью.
Качество варьируется от 22 до 60. Все зависит от количества этажей и требуемых прочностных параметров.
Обычно устанавливается несколько поясов армирования, чтобы сделать постройку устойчивой, увеличивая прочность.
Применяется немало материалов и размеров с разными профилями. В зависимости от крепежа, выбирается место нанесения.
Подключение может быть жестким, а также навесным. Все зависит от строения.
Материал – металл или железобетон.
Сечение, как прямоугольник или Т-образное.
Бывают:
Некоторые сферы:
К ним относят:
Есть три блочные части:
Шпалы традиционно изготавливаются из стали, различающейся по маркам. В отдельных случаях, чтобы облегчить технологию применяют сплавы из алюминия. Материал предлагается выбирать с учетом несущей конструкцией нагрузки.
Расположение регионального назначения тоже учитывают в процессе строительства.
Таким образом, основной задачей ригеля является механическое воссоединение стоечных элементов. В итоге образуется единая система. Получается весьма устойчивая конструкция.
Ригель распределяет нагрузку равномерно от многих частей строения, передавая ее равномерным образом на стеллажи.
Автор статьи:
Фото двутавровых балок в каталоге периодически обновляются.
Будем искренне рады, если посмотрев фото двутавров, Вы сможете сделать правильный выбор при покупке двутавровых балок. Цены на двутавры можно увидеть в прайс-листе или узнать по телефону: 8 (495) 762-02-88.
В данной галерее картинок Вы можете посмотреть фото балки стальной изготовленной методом горячей прокатки с уклоном внутренних граней полок (без букв после номера обозначающего размер и с буквой «М») и с параллельными гранями полок различных типов («Б»,«Ш»,«К»). Демонстрируя фото и картинки балки двутавровой, мы ставили перед собой задачу, показать нашим покупателям как выглядят разные типы стальных двутавров. Если разглядывая фотографии и рисунки балки, Вы научитесь визуально различать между собой обычные двутавры (без буквы), нормальные (Б), колонные (К), широкополочные (Ш) и балки для подвесных путей (М), то мы достигнем поставленной цели. Картинки и фотографии балки двутавровой сопровождаются кратким описанием изображенного на них проката (фото двутавра увеличиваются).
Не забудьте посетить галерею с фото трубы, а так же смотрите иллюстрации и фотографии другого металла.
Смотрите картинки двутавров, не делайте ошибок при выборе металла, отправляйте заявки на электронную почту и покупайте стальную балку в компании Сталь-МТ.
Фото балка двутавровая
Фото балка двутавровая
Картинка балки горячекатаной
Картинка балки горячекатаной
Изображение балок стальных
Изображение балок стальных
Смотреть фото двутавровых балок
Смотреть фото двутавровых балок
Фотография балки 30Ш2
Фотография балки 30Ш2
Иллюстрация двутавра 30Ш2
Иллюстрация двутавра 30Ш2
Снимок двутавровой балки 30 Ш2
Снимок двутавровой балки 30 Ш2
Картинка двутавровой балки 30Б1
Картинка двутавровой балки 30Б1
Фото горячекатаного двутавра 30Б1
Фото горячекатаного двутавра 30Б1
Изображение стальных балок 30 Б1
Изображение стальных балок 30 Б1
Фотография двутавровых балок 25Б1
Фотография двутавровых балок 25Б1
Фотоснимок стального двутавра 25Б1
Фотоснимок стального двутавра 25Б1
Фотографический рисунок горячекатаной балки 25 Б1
Фотографический рисунок горячекатаной балки 25 Б1
Картинка горячекатаной балки 40Ш1
Картинка горячекатаной балки 40Ш1
Фото двутавра 40Ш1
Фото двутавра 40Ш1
Страницы: 1 [ 2 ] [ 3 ] [ 4 ] [ 5 ] [ 6 ] [ 7 ]
Мы практически уверены, что посмотрев все фото балки двутавровой и внимательно изучив описание двутавров изображенных на картинках, Вы не только познакомились с данным видом продукции металлургических комбинатов, но теперь без труда сможете различать основные типы стальных горячекатаных балок.
По крайней мере, не сложно разглядеть разницу между двутаврами с уклоном внутренних граней полок и балками двутавровыми с параллельными гранями полок. Для этого надо посмотреть и сравнить фотографии с изображениями поперечных сечений этих балок. Конечно мы понимаем, что фотографические снимки балки не могут показать технические характеристики данного стального проката, и на них нельзя увидеть из каких марок стали изготовлен этот строительный материал, но с этой и другой информацией можно ознакомиться на страницах нашего сайта рассказывающих о горячекатаной двутавровой балке.
Балка двутавровая стальная (обычная, колонная, широкополочная и монорельсовая), изображенная на рисунках в фото галерее, а также различные виды металлопроката и труб продаются в компании Сталь-МТ от 1 штуки. Оказываем услуги резки и доставки.
Узнать более полную информацию о разновидностях двутавровых балок, фотографии которых представлены в данной фото галерее, а также получить ответы на вопросы связанные с покупкой и доставкой двутавров можно по телефону: 8 (495) 762-02-88
Надеемся, Вам понравилась галерея фото двутавровых балок! Картинки двутавров меняются, а партнерство сохраняется! Балка двутавровая в компании Сталь-МТ метрами и тоннами!
| Арматура 12 А500С |
| арматура 12 цена 26900 руб от 10 тонн |
| Арматура 14, 16, 18, 20 |
| арматура цена 26600 руб от 10 тонн немерная минус 1500 руб |
| Труба профильная |
| труба профильная цена при покупке более 10тн 80х80 от 37500 руб 100х100 от 38000 руб |
| Швеллер 12, 14, 16, 18 |
| швеллер цена 40700 руб от 10 тонн немерный минус 1500 руб |
Лист х/к 1. 5, 2.0, 3.0 мм |
| лист х/к цена 38900 руб от 10 тонн |
| Лист г/к 4, 5, 6, 8, 10 |
| лист г/к цена 36300 руб от 10 тонн |
| Труба э/с 57, 76, 89, 108 |
| труба стальная цена 37900 руб от 10 тонн |
Компания Сталь-МТ расширяет автопарк
читать дальше »
Ожидаем повышение стоимости арматуры
читать дальше »
2 x 8819 Linco ZENITH 9′ Компактная подставка для фона
*Минимальная высота: 32 дюйма.
*Максимальная высота: 108 дюймов.
*Стальное литье под давлением для качественной сборки.
*1 год гарантии.
*Максимальная нагрузка: 10 фунтов.
1 x 4222 Linco 10′ 4 шт./компл. Senior Crossbar
*4 секции.
* Регулируемая ширина: 5 футов 7,5 футов 10 футов.
* Простота в использовании.
1 x 3178-12 Сумка для переноски подставки для фонаря
*Разработана специально для комплекта поддержки фона и фотоаксессуаров.
*Изготовлен из хорошего нейлона Оксфорд.
*Максимальная нагрузка: 25 фунтов.
| Что включено? | |
| 2 x Linco#8819 | Linco ZENITH 9′ Компактная подставка для фона |
| 1 x Linco#4222 | Перекладина Linco 10′, комплект из 4 предметов, старшая перекладина |
| 1 x Linco#3178-12 | Сумка для переноски световой стойки |
| 4 x Linco#4216-1 | Linco#4216-1 Держатель фона |
| ID: Linco#8819 Linco ZENITH 9′ Compact Backdrop Stand | Кол-во: 2 | |
*Минимальная высота: 32 дюйма. *Максимальная высота: 108 дюймов. *Стальное литье под давлением для качественной сборки. *1 год гарантии. *Максимальная нагрузка: 10 фунтов. | ||
| ID: Linco#4222 Linco 10′ 4-предм./набор Старшая перекладина | Кол-во: 1 | |
| Это новая 10-футовая перекладина профессионального фотографического качества. Эту перекладину можно использовать при максимальной ширине 10 футов. Эта перекладина может поместиться на большинстве опорных стоек с резьбой 1/4 дюйма для сборки профессиональной фоновой опоры. Простая в установке и использовании, эта перекладина системы поддержки может выдержать примерно любой тип фона от муслина до холста и бумаги. | ||
| ID: Linco#3178-12 Сумка для переноски световой стойки | Кол-во: 1 | |
*Специальный дизайн для комплекта поддержки фона и фотоаксессуаров. *Изготовлен из хорошего нейлона Оксфорд. *Максимальная нагрузка: 25 фунтов. | ||
| ID: Linco#4216-1 Linco#4216-1 Держатели фона | Кол-во: 4 | |
| 4216-1 Держатель фона ?Простая регулировка Чтобы убрать морщины и неровности, видимые на муслиновой ткани, удерживайте кнопку, как показано, и сдвиньте прикрепленный зажим в нужное место. Отрегулируйте каждый держатель муслина так, чтобы на муслине было меньше складок и неровностей. Для дальнейшей и более точной регулировки вы можете отстегнуть несколько муслиновых держателей и сдвинуть их в места, где имеются морщины и неровности. ? Превосходное качество и малый вес Муслиновые держатели Linco очень компактны, легки и отличаются высоким качеством. Они изготовлены из натуральной кожи и высокопрочного эластичного материала с эксклюзивной гравировкой Linco. Держатели муслина Linco весят всего 1/13 веса обычных муслиновых зажимов | ||
10 x 20 Chromakey Green Screen Backdrop Фоновая подставка для комплекта студийного света
$ 89,95
10,7 x 12,5 футов Фоновая подставка для фотосъемки Стальная опора Studio Kit
$ 224,97
Распроданный10-футовая тройная перекладина, подставка для фона, подставка для фотостудии, набор подставок для фона
$ 72,98
Комплект муслиновой подставки для зеленого фотофона 5’x10′
59,00 $
Природная электроника том 1 , страницы 52–59 (2018 г.
)Процитировать эту статью
29 тыс. обращений
660 цитирований
30 Альтметрический
Сведения о показателях
Мемристорные поперечины предлагают реконфигурируемые энергонезависимые состояния сопротивления и могут устранить узкие места скорости и энергоэффективности в векторно-матричном умножении, основной вычислительной задаче при обработке сигналов и изображений.
Однако использование таких систем для умножения вектора амплитуды аналогового напряжения на матрицу аналоговой проводимости в достаточно больших масштабах оказалось затруднительным из-за трудностей проектирования устройств и интеграции массивов. Здесь мы показываем, что реконфигурируемые мемристорные поперечины, состоящие из мемристоров из оксида гафния поверх транзисторов металл-оксид-полупроводник, способны к аналоговому векторно-матричному умножению с размерами матрицы до 128 × 64 ячеек. Наша выходная точность (5–8 бит, в зависимости от размера массива) является результатом высокого ресурса устройства (99,8%) и многоуровневость, устойчивые состояния мемристоров, а линейность вольт-амперных характеристик устройства и малое сопротивление проводов между ячейками обуславливают высокую точность. С помощью больших мемристорных поперечин мы демонстрируем обработку сигналов, сжатие изображений и сверточную фильтрацию, которые, как ожидается, станут важными приложениями в развитии Интернета вещей (IoT) и граничных вычислений.
Это предварительный просмотр содержимого подписки, доступ через ваше учреждение
Статьи открытого доступа со ссылкой на эту статью.
Научные отчеты Открытый доступ 24 августа 2022 г.
npj 2D-материалы и приложения Открытый доступ
25 июля 2022 г.
Связь с природой Открытый доступ 19 мая 2022 г.
Подписка на журнал
Получить полный доступ к журналу на 1 год
118,99 €
всего 9,92 € за выпуск
Подписаться
Расчет налогов будет завершен во время оформления заказа.
Купить статью
Получите ограниченный по времени или полный доступ к статье на ReadCube.
32,00 $
Купить
Все цены указаны без учета стоимости.
Рис. 1. Данные, хранящиеся в мемристорной матрице 1T1R размером 128 × 64, демонстрирующие линейность состояния проводимости, точность и достоверность записи, а также стабильность и воспроизводимость чтения. Рис. 2. Экспериментальная выходная точность и точность дискретного косинусного преобразования (ДКП) с использованием мемристорных поперечин. Рис. 3: Экспериментальная реализация анализатора спектра на основе мемристорной поперечины. Рис. 4: Экспериментальная демонстрация 2D DCT с использованием дифференциальных пар проводимости для сжатия и обработки изображений. Рис. 5: Экспериментальная демонстрация свертки с дифференциальными парами проводимости мемристоров.
Уильямс, Р. С. Что дальше? Вычисл. науч. англ. 19 , 7–13 (2017).
Артикул Google ученый
Уолдроп, М. М. Закон Мура на кону. Природа 530 , 144–147 (2016).
Артикул Google ученый
Губби, Дж., Буйя, Р., Марусик, С. и Паланисвами, М. Интернет вещей (IoT): видение, архитектурные элементы и будущие направления. Фут. Общие вычисления. Сист. 29 , 1645–1660 (2013).
Артикул Google ученый
Yocam, E. W. Эволюция на границе сети: интеллектуальные устройства. ИТ-специалист 5 , 32–36 (2003 г.).
Артикул Google ученый
«>Чуа, Л. Мемристор — недостающий элемент схемы. IEEE Trans. Теория цепей 18 , 507–519 (1971).
Артикул Google ученый
Струков Д. Б., Снайдер Г. С., Стюарт Д. Р. и Уильямс Р. С. Пропавший мемристор найден. Природа 453 , 80–83 (2008).
Артикул Google ученый
Ян Дж. Дж., Струков Д. Б. и Стюарт Д. Р. Мемристивные устройства для вычислений. Нац. Нанотех. 8 , 13–24 (2013).
Артикул Google ученый
Де Сальво, Б. Кремниевая энергонезависимая память: пути инноваций (Oxford, Wiley, 2013).
Вонг, Х.-С. П. и др. Металлооксидная RRAM. Проц. IEEE 100 , 1951–1970 (2012).
Артикул Google ученый
«>Вентра М. Д., Першин Ю. В., Чуа Л. О. Элементы схем с памятью: мемристоры, мемконденсаторы, меминдукторы. Проц. IEEE 97 , 1717–1724 (2009).
Артикул Google ученый
Труонг, С. Н. и Мин, К.-С. Новая архитектура массива перекладин на основе мемристоров с уменьшением площади на 50 % и энергосбережением на 48 % для умножения матрицы на вектор в аналоговых нейроморфных вычислениях. Дж. Полуконд. Технол. науч. 14 , 356–363 (2014).
Артикул Google ученый
Ся, Л. и др. Технологическое исследование массива поперечин RRAM для умножения матрицы на вектор. Дж. Вычисл. науч. Технол. 31 , 3–19 (2016).
Артикул MathSciNet Google ученый
Ли, Б., Гу, П., Ван, Ю. и Ян, Х. Изучение ограничения точности для аналоговых приближенных вычислений на основе RRAM.
IEEE Design Test 33 , 51–58 (2016).
Артикул Google ученый
Прециозо, М. и др. Обучение и работа интегрированной нейроморфной сети на основе металлооксидных мемристоров. Природа 521 , 61–64 (2015).
Артикул Google ученый
Ю. С. и др. в Proc. Междунар. Электрон Дев. Встретиться. 416–419 (Сан-Франциско, IEEE, 2016 г.).
Парк, С. и др. Электронная система с мемристивными синапсами для распознавания образов. Науч. Респ. 5 , 10123 (2015).
Артикул Google ученый
Ху, М. и Страчан, Дж. П. в Proc. 2016 IEEE Междунар. конф. Перезагрузка комп. (ICRC) 1–5 (Сан-Диего, IEEE, 2016 г.).
Гао Л., Чен П.
-Ю. & Ю, С. Демонстрация работы ядра свертки на массиве резистивных точек пересечения. IEEE Electron Dev. лат. 37 , 870–873 (2016).
Артикул Google ученый
Индивери Г., Линарес-Барранко Б., Легенштейн Р., Делигиоргис Г. и Продромакис Т. Интеграция наноразмерных мемристорных синапсов в нейроморфные вычислительные архитектуры. Нанотехнологии 24 , 384010 (2013).
Артикул Google ученый
Парк, Дж. и др. Синапс RRAM на основе TiO x с 64 уровнями проводимости и симметричным изменением проводимости за счет применения гибридной импульсной схемы для нейроморфных вычислений. IEEE Electron Dev. лат. 37 , 1559–1562 (2016).
Артикул Google ученый
Фумарола, А. и др. в Proc.
2016 IEEE Междунар. конф. Перезагрузка комп. (ICRC) 1–8 (Сан-Диего, IEEE, 2016 г.).
Ge, N. et al. Эффективный аналоговый компаратор расстояния Хэмминга, реализованный с помощью массива униполярных мемристоров: образец физических вычислений. Науч. Респ. 7 , 40135 (2017).
Артикул Google ученый
Ху, М. и др. в Proc. 53-я конструкция Автомат. конф. 1–6 (Остин, ACM, 2016).
Гао Л., Алибарт Ф. и Струков Д. Б. в IEEE/IFIP 20th Int. конф. СБИС и система на кристалле, 2012 г. (СБИС-SoC) 88–93 (Санта-Крус, IEEE, 2012 г.).
Чакрабарти, Б. и др. Механизм многократного сложения с монолитно интегрированной трехмерной мемристорной матрицей и гибридной схемой CMOS. Науч. Респ. 7 , 42429 (2017).
Артикул Google ученый
«>Ластрас-Монтаньо, М. А., Чакрабарти, Б., Струков, Д. Б. и Ченг, К. Т. на конференции и выставке Design, Automation & Test in Europe (2017) 1257–1260 (Лозанна, IEEE, 2017).
млн лет, W. et al. в Proc. Междунар. Электрон Дев. Встретиться. 436–439 (Сан-Франциско, IEEE, 2016 г.).
Yao, P. et al. Классификация лиц с использованием электронных синапсов. Нац. коммун. 8 , 15199 (2017).
Артикул Google ученый
Шеридан, П. М. и др. Разреженное кодирование с помощью мемристорных сетей. Нац. Нанотех. 12 , 784–789 (2017).
Артикул Google ученый
Чой, С., Шин, Дж. Х., Ли, Дж., Шеридан, П. и Лу, В. Д. Экспериментальная демонстрация извлечения признаков и уменьшения размерности с использованием мемристорных сетей.
Нано Летт. 17 , 3113–3118 (2017).
Артикул Google ученый
Юппи Н.П., Янг К., Патил Н. и Паттерсон Д. в 44th Int. Симп. Комп. Архит. (ISCA) 1–17 (ACM/IEEE, Торонто, 2017 г.).
ЛеКун Ю., Бенжио Ю. и Хинтон Г. Глубокое обучение. Природа 521 , 436–444 (2015).
Артикул Google ученый
Далли, В. в Системы обработки нейронной информации (NIPS2015), учебник (Фонд NIPS, Монреаль, 2015 г.).
Шафи, А. и др. в 2 016 ACM/IEEE 43rd Int. Симп. Комп. Архит. (ISCA) 14–26 (Сеул, IEEE, 2016 г.).
Hu, M., Li, H., Wu, Q. & Rose, GS in 2012 49th ACM/EDAC/IEEE Design Automat. конф. (DAC) 498–503 (Сан-Франциско, IEEE, 2012 г.).
«>Jiang, H. et al. Канал Ta размером менее 10 нм отвечает за превосходные характеристики HfO 2 мемристор. Науч. Респ. 6 , 28525 (2016).
Артикул Google ученый
Linn, E., Rosezin, R., Kugeler, C. & Waser, R. Дополнительные резистивные переключатели для пассивных запоминающих устройств с нанопереходниками. Нац. Матер. 9 , 403–406 (2010).
Артикул Google ученый
Ким, К. М. и др. Маломощный, самовыпрямляющийся и не формирующий мемристор с асимметричным напряжением программирования для применения в кроссбарах с высокой плотностью. Нано Летт. 16 , 6724–6732 (2016).
Артикул Google ученый
Li, C. et al. Трехмерные поперечные решетки самовыпрямляющихся мемристоров Si/SiO 2 /Si.
Нац. коммун. 8 , 15666 (2017).
Артикул Google ученый
Мидья, Р. и др. Анатомия селекторов на основе Ag/Hafnia с 10 10 нелинейность. Доп. Матер. 29 , 1604457 (2017).
Артикул Google ученый
Джо, С. Х., Кумар, Т., Нараянан, С. и Назарян, Х. Резистивная ОЗУ с перекрестной точкой на основе сверхлинейного порогового селектора с полевым управлением. IEEE Trans. Электрон Дев. 62 , 3477–3481 (2015).
Артикул Google ученый
Чой, Б.Дж. и соавт. Трехслойные туннельные селекторы для мемристорных ячеек памяти. Доп. Матер. 28 , 356–362 (2016).
Артикул Google ученый
Ji, L.
et al. Интегрированная архитектура «один диод — один резистор» в резистивной коммутационной памяти nanopillar SiO x с помощью литографии наносфер. Нано Летт. 14 , 813–818 (2014).
Артикул Google ученый
Van Wees, B.J. et al. Квантовая проводимость точечных контактов в двумерном электронном газе. Физ. Преподобный Летт. 60 , 848–850 (1988).
Артикул Google ученый
Yi, W. et al. Квантованная проводимость совпадает с нестабильностью состояния и избыточным шумом в мемристорах на основе оксида тантала. Нац. коммун. 7 , 11142 (2016).
Артикул Google ученый
Рао, К. Р. и Йип, П. Дискретное косинусное преобразование: алгоритмы, преимущества, приложения (Кембридж, Academic Press Professional, 1990).
Пеннебейкер, В. Б. и Митчелл, Дж. Л. JPEG: Стандарт сжатия данных неподвижных изображений (Берлин, Springer Science & Business Media, 1992).
Маларвижи Д. и Куппусамы Д. К. Новый алгоритм энтропийного кодирования для сжатия изображений с использованием DCT. Междунар. Дж. Инж. Тенденции Технологии . 3 , 327–332 (2012).
Крижевский, А., Суцкевер, И. и Хинтон, Г. Э. в Достижения в системах обработки нейронной информации 25 (NIPS 2012) 1097–1105 (Stateline, NV, NIPS Foundation, 2012).
Лоуренс, С., Джайлз, К.Л., А Чанг, Т. и Бэк, А.Д. Распознавание лиц: метод сверточной нейронной сети. IEEE Trans. Нейронные сети 8 , 98–113 (1997).
Артикул Google ученый
Ху, М. и др. Аналоговые вычисления на основе мемристоров и классификация нейронных сетей с механизмом скалярного произведения.
Доп. Матер. https://doi.org/10.1002/adma.201705914 (в печати).
Артикул Google ученый
Скачать ссылки
Эта работа была частично поддержана Исследовательской лабораторией ВВС (AFRL; грант № FA8750-15-2-0044), Управлением научных исследований ВВС США (AFOSR; грант № FA9550-12-1-0038), Деятельность по передовым исследовательским проектам разведки (IARPA; контракт 2014-14080800008) и Национальный научный фонд (NSF; ECCS-1253073). Эта работа была частично выполнена в Центре иерархического производства (CHM), спонсируемом NSF Наномасштабном научно-инженерном центре (NSEC) Массачусетского университета в Амхерсте.
Факультет электротехники и вычислительной техники, Массачусетский университет, Амхерст, Массачусетс, США
Can Li, Yunning Li, Hao Jiang, Wenhao Song, Peng Lin, Zhongrui Wang, J. Joshua Yang и Qiangfei Xia
Hewlett Packard Labs, Hewlett Packard Enterprise, Пало-Альто, Калифорния, США
Miao Hu Эрик Монтгомери, Цзямин Чжан, Норайка Давила, Кэтрин Э.
Грейвз, Чжиюн Ли, Джон Пол Страчан и Р. Стэнли Уильямс
HP Labs, HP Inc., Пало-Альто, Калифорния, США
Нин Ге
Mark Barnell & Qing Wu
Департамент электротехники и компьютерной инженерии, Университет Бингемтона, Бингемтон, Нью -Йорк, США
Miao Hu
Автор
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Академия
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
ГрейвсПросмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Академия
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Stanley WilliamsПросмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
C.L., HJ, NG, ND, P.L. и З.В. встроенные микросхемы. К.Л., М.Х., Ю.Л. и J.P.S. провел замеры. Э.М., М.Х. и J.P.S. построил измерительную систему. Ю.Л., М.Х. и В.С. выполнено моделирование схемы. Дж.З. сделал изображения поперечного сечения SEM и TEM. J.P.S., J.J.Y. и Q.X. планировал эксперименты и руководил проектом. Q.X., C.L., J.J.Y. и Р.С.В. написал рукопись. Все авторы внесли свой вклад в анализ результатов и прокомментировали рукопись.
Переписка с
Джон Пол Страчан, Дж.
Джошуа Ян или Цянфэй Ся.
Авторы не заявляют о конкурирующих финансовых интересах.
Примечание издателя: Springer Nature остается нейтральной в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и институциональной принадлежности.
Дополнительные рисунки 1–16, дополнительная таблица 1 и дополнительные примечания 1–4.
Программирование проводимости мемристоров в массиве 64 × 64 на произвольные значения в заданном диапазоне проводимости.
Вывод кроссбара в реальном времени с изменением входных частот.
Перепечатка и разрешения
Натур Электроникс (2022)
Nature Communications (2022)
